• Историческая справка
• Ученый совет
• Интеграция с ВУЗами
• Конференции
• Центр коллективного
  пользования

  Отделения:

•  колебательной и электронной спектроскопии
•  атомно-абсорбционного спектрального анализа и масс-спектрометрии
•  радиометрических и физико-химических методов анализа
•  электронной микроскопии и микрозондового  анализа
•  высокотемпературной химии и электрохимии

•  исследований свойств материалов электронной техники

• Центр трансфера технологий
• Фотогалерея

ЦЕНТР КОЛЛЕКТИВНОГО ПОЛЬЗОВАНИЯ

Отделение исследований свойств материалов электронной техники

Направления исследований:
   - выращивание монокристаллов из расплавов методом Чохральского;
   - исследование электрофизических, акустических и оптических свойств керамических и монокристаллических сегнетоэлектрических материалов.

Приборный парк:
   - автоматизированная установка для исследования диэлектрических характеристик и диэлектрической дисперсии в широком диапазоне частот (10 Гц - 10 МГц), напряжений измерительного поля и температур (77-1100 К) с пакетом программ обработки информации;
   - установка для монодоменизации монокристаллов «Лантан»;
   - установка для выращивания монокристаллов методом Чохральского «Кристалл-2М»;
   - установки для исследования оптической однородности монокристаллов;
   - полуавтоматический станок для резки кристаллов «Алмаз-6М»;
   - анализатор изображения «Тиксомет».

С помощью высокопроизводительного и гибкого анализатора изображения «Тиксомет», созданного на основе современных профессиональных аппаратных и программных средств, возможно формирование панорамы высокого разрешения состоящей из нескольких десятков полей зрения, что значительно облегчает количественную оценку структуры изучаемых материалов и повышает качество и воспроизводимость результатов измерений. Благодаря инструменту «острый фокус» программы «Тиксомет» решена задача одновременного получения и анализа изображения обеих поверхностей прозрачного тонкого (до 0,3-0,5 мм) объекта, что открывает дополнительные возможности для изучения взаимосвязи «состав – структура - свойства», необходимой для совершенствования материалов и технологии их получения. Таким способом нами впервые было получено изображение пластины ниобата лития, демонстрирующее взаимное расположение сегнетоэлектрических доменов и некоторое смещение доменных стенок в кристалле на толщине образца 0,3 мм.

«Кристалл-2М»	Установка для исследования диэлектрических характеристик